Equipement de dépôt de couche mince par plasma ulcoat
Description
Avec l'injection d'un précurseur dans le plasma en post-décharge, l'ULCoat permet le dépôt de couches minces sur la surface traitée.
L'ULCoat est un système vaporisant et injectant un précurseur sous la buse plasma. L'ULCoat s'utilise couplé avec un générateur ULS OMEGA.
Le module standard est conçu pour le dépôt d'oxydes de silicium (SiOx) en utilisant un précurseur organométallique. Mais d'autres compositions de films peuvent être étudiées.
Le laboratoire de développement de procédés d'AcXys Technologies est à votre service pour mettre au point l'application qui réponde à vos besoins dans le cadre d'un contrat de R& D.
L'ULCoat est disponible en module autonome ou en version intégrable dans d'autres équipements (version OEM).
La technologie ULCoat
- S'utilise avec un module ULS OMEGA
- Dépôt de couches minces
- Épaisseur ajustable de 50 à 1000 nanomètres
- Uniformité supérieure +/- 2%
- Vitesse de traitement moyenne à haute jusqu'à 200 nm. cm2 / s
- Version standard optimisée pour le dépôt d'oxydes de silicium (SiOx)
La buse d'injection
Le débit de précurseur liquide est contrôlé avant l'injection dans le plasma. Ce module est constitué de plusieurs composants :
- Réservoir de précurseur
- Contrôle de flux de précurseur
- Contrôle de débit de gaz
- Module de chauffage (facultatif)
L'ULCoat est un système vaporisant et injectant un précurseur sous la buse plasma. L'ULCoat s'utilise couplé avec un générateur ULS OMEGA.
Le module standard est conçu pour le dépôt d'oxydes de silicium (SiOx) en utilisant un précurseur organométallique. Mais d'autres compositions de films peuvent être étudiées.
Le laboratoire de développement de procédés d'AcXys Technologies est à votre service pour mettre au point l'application qui réponde à vos besoins dans le cadre d'un contrat de R& D.
L'ULCoat est disponible en module autonome ou en version intégrable dans d'autres équipements (version OEM).
La technologie ULCoat
- S'utilise avec un module ULS OMEGA
- Dépôt de couches minces
- Épaisseur ajustable de 50 à 1000 nanomètres
- Uniformité supérieure +/- 2%
- Vitesse de traitement moyenne à haute jusqu'à 200 nm. cm2 / s
- Version standard optimisée pour le dépôt d'oxydes de silicium (SiOx)
La buse d'injection
Le débit de précurseur liquide est contrôlé avant l'injection dans le plasma. Ce module est constitué de plusieurs composants :
- Réservoir de précurseur
- Contrôle de flux de précurseur
- Contrôle de débit de gaz
- Module de chauffage (facultatif)
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Matière à traiter :
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